近日，英飛凌宣布與盛弘電氣達成合作。英飛凌將為盛弘提供業內領先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半導體器件，配合EiceDRIVER緊湊型1200V單通道隔離柵極驅動IC，從而進一步提升儲能變流器的效率。

　　在“雙碳”戰略和新能源浪潮帶動下，近年來，國內儲能市場保持持續快速發展。據工信部統計，2023年上半年，新型儲能裝機規模達到863萬千瓦，相當于此前歷年累計裝機規模總和。而儲能系統的效率和功率密度是產品競爭力的重要因素，系統體積大小、重量，以及儲能系統的成本等都與能源轉換效率密切相關，也直接影響著成本。因此，功率半導體元器件扮演著至關重要的角色。

　　盛弘儲能產品英飛凌科技高級副總裁，零碳工業功率事業部大中華區負責人于代輝表示：“碳化硅功率解決方案是未來綠色能源生產和存儲應用的重要組成部分。英飛凌與盛弘股份在儲能變流器領域的合作，助力其儲能系統實現效率高、體積小、重量輕等優勢，為實現高可靠性、高性能的儲能系統提供堅實的保障。”

　　盛弘股份集團副總經理魏曉亮表示：“盛弘股份的儲能產品使用了英飛凌的碳化硅器件后，兼容性和靈活性明顯增強，效率顯著提高，損耗明顯降低，系統的散熱成本減少，促進了產品長期高效穩定運行。得益于此，終端用戶提高了運行穩定性，并縮短了投資回報周期。這些進步增強了我們產品的系統競爭力，提高了客戶對我們儲能產品的信任度，提升了Sinexcel的品牌知名度。未來，我們期待英飛凌繼續提供高性能、高穩定性的組件，進一步增強Sinexcel產品在客戶中的競爭力。”

　　憑借在碳化硅領域超過20年的產品研發和應用經驗，英飛凌持續精進碳化硅產品的先進性。其中，1200V CoolSiC MOSFET憑借其高功率密度的優越性能，可將損耗降低50%, 在不增加電池尺寸的情況下，額外提供約2%的能量，這對高性能、輕量且緊湊的儲能方案尤為有益。

　　采用英飛凌1200 V CoolSiC MOSFET以及EiceDRIVER緊湊型1200V單通道隔離柵極驅動IC，盛弘電氣股份有限公司儲能變流器可實現高功率密度，最小電磁輻射和干擾，高保護性能以及高可靠性，系統效率可達98%，比傳統的解決方案效率提升了1%，達到行業領先水平，更好地滿足海內外市場并網和離網運行的儲能應用需求。